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ST-MRAM類(lèi)別及發(fā)展由來(lái)
隨著自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)以及材料和結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件應(yīng)運(yùn)而生。自從自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)被證實(shí)以來(lái),一方面研究人員通過(guò)大量的努力嘗試降低磁化反轉(zhuǎn)的臨界電流
2020-01-14
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SRAM回歸主流嵌入式設(shè)計(jì)
SRAM不僅成本效益更高,而且還是技術(shù)一流的解決方案。與外部SRAM相比,嵌入式SRAM的存取時(shí)間更為出色,要知道對(duì)于高速緩存存儲(chǔ)器而言,存取時(shí)間是最關(guān)鍵的因素。
2020-01-13
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串行及并行接口SRAM區(qū)別之處
外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口??紤]到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲(chǔ)器要求,選擇并行接口并不令人驚訝。
2020-01-10
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MCU是智慧領(lǐng)域發(fā)展的重要基礎(chǔ)
MCU未來(lái)最大的市場(chǎng)在于‘智慧’二字,例如‘智慧工廠’‘智慧設(shè)施’‘智慧家庭’,未來(lái)會(huì)真正實(shí)現(xiàn)智慧生活,一通百通。安全是MCU在智慧領(lǐng)域發(fā)展的重要基礎(chǔ)。智慧市場(chǎng)的形成,必定會(huì)產(chǎn)生
2020-01-09
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緩存應(yīng)用程序ST-MRAM流程和性能演示
英特爾顯示了2MB STT-MRAM陣列的L4緩存級(jí)應(yīng)用程序性能和可靠性。這要求在工業(yè)操作溫度范圍內(nèi)具有高密度,高帶寬和高耐久性。表I中所顯示STT-MRAM的L4高速緩存應(yīng)用程序所需的規(guī)范。
2020-01-08
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MCU廠瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)整合低功耗無(wú)線技術(shù)
各MCU廠對(duì)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的MCU均會(huì)提供Linux RTOS或其它開(kāi)放來(lái)源操作系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)程序、Firmware,但開(kāi)發(fā)策略有許多差異。
2020-01-07
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