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ST-MRAM磁隧道結(jié)寫入方式
自旋轉(zhuǎn)移矩依靠電流實(shí)現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn),寫入電流密度大概在106~107A cm2之間,而且寫入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小,克服了傳統(tǒng)磁場(chǎng)寫入方式的缺點(diǎn),因而被廣泛認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)磁隧道結(jié)的純
2020-03-03
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如何為應(yīng)用選擇合適的DRAM
雖然價(jià)格和密度在選擇動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中起著重要作用,但必須考慮許多其他因素。例如,長(zhǎng)期產(chǎn)品支持是許多應(yīng)用程序的關(guān)鍵考慮因
2020-03-02
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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點(diǎn)仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為1 05V時(shí),和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時(shí),在單元讀寫操作時(shí),錯(cuò)誤率較低。
2020-02-28
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SRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)的重要性
近年來SOC(片上系統(tǒng))技術(shù)逐漸成為IC設(shè)計(jì)業(yè)界的焦點(diǎn),SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)作為其必不可少的一部分被集成到SOC芯片中,由于高性能SRAM存儲(chǔ)器存在著不可或缺的應(yīng)用,一直是工業(yè)界和學(xué)術(shù)界研究
2020-02-27
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新型非易失性MRAM優(yōu)勢(shì)
MRAM(磁性存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器。MRAM技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫入能力,具有閃存的非易失性,容量密度及使用壽命不輸
2020-02-26
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SRAM基本單元的3種狀態(tài)
SRAM的基本單元有3種狀態(tài):standby (電路處于空閑), reading (讀)與writing (修改內(nèi)容) SRAM的讀或?qū)懩J奖仨毞謩e具有 "readability "(可讀)與 "write stability "(寫穩(wěn)定)
2020-02-25
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