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三星擴產NAND Flash 明年恐將供過于求

來源：宇芯有限公司 日期：2017-11-22 16:12:43

三星(Samsung)今年資本支出將增長至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為發(fā)展主力，研調機構IC Insights認為，如此一來，3D NANDFlash恐怕會出現(xiàn)將供過于求的現(xiàn)象。
　　
IC Insights預測，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將增長35%。其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的加起來還多。
　　
三星今年的資本支出主要投入到3D儲存型閃存(NAND Flash)，投資資金高達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態(tài)隨機存取內存(DRAM)制程技術，并彌補因制程轉換造成的產能損失。
　　
在晶圓代工方面，IC Insights表示，三星將投入50億美元擴增10納米制程產能。
　　
除三星投入巨額資本支出，SK海力士(Hynix)與美光(Micron)等三星競爭對手資本支出也將顯著增加，IC Insights認為，這恐將引發(fā)3D NAND Flash市場供過于求。
 
 
關鍵詞：NAND Flash

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