ISSI IS61C64AL系列是一種高速且低功耗的64K高速SRAM存儲芯片。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術(shù)相結(jié)合，以低功耗實現(xiàn)了10ns的訪問時間。當CE為高電平（取消選擇）時，器件采用待機模式，在該模式下，CMOS輸入電平的功耗可降至150µW（典型值）。通過使用一個芯片使能輸入CE，可以輕松擴展內(nèi)存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。
 
IS61C64AL高速訪問時間為10ns，具有1mW（典型）CMOS待機和125mW（典型）運行的CMOS低功耗操作。TTL兼容接口電平，該系列SRAM芯片完全靜態(tài)操作：無時鐘或刷新。IS61C64AL采用JEDEC標準28引腳、300-mil SOJ和TSOP封裝。
 
ISSI公司主要是以汽車和通信、數(shù)字消費以及工業(yè)和醫(yī)療市場設計開發(fā)和銷售的高性能集成電路的技術(shù)領導者。主要產(chǎn)品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。該公司還設計和銷售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。


關鍵詞： SRAM  高速SRAM IS61C64AL