功能概述
FM25CL64B是一款采用先進鐵電工藝的64Kbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
 
與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25CL64B以總線速度執(zhí)行寫操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后，數(shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品提供了可觀的寫入耐久性。FM25CL64B能夠支持10¹⁴個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25CL64B成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用的理想選擇。示例范圍從數(shù)據(jù)收集（其中寫入周期數(shù)可能至關(guān)重要）到要求苛刻的工業(yè)控制（其中串行閃存或EEPROM的長寫入時間可能導致數(shù)據(jù)丟失）。
 
FM25CL64B為串行EEPROM或閃存作為硬件替代品的用戶提供了巨大的好處。FM25CL64B采用高速SPI總線，增強了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。器件規(guī)格在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內(nèi)得到保證。cypress代理宇芯電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
 
◆64-Kbit鐵電隨機存取存儲器(FRAM)邏輯上組織為8K×8
•高續(xù)航100萬億（10¹⁴）讀/寫
•151年數(shù)據(jù)保留
•NoDelay™寫入
•先進的高可靠性鐵電工藝
◆極快的串行外設(shè)接口(SPI)
•高達20MHz的頻率
•串行閃存和EEPROM的直接硬件更換
•支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
◆復雜的寫保護方案
•使用寫保護(WP)引腳的硬件保護
•使用寫禁用指令的軟件保護
•1/4、1/2或整個陣列的軟件塊保護
◆低功耗
•1MHz時為200μA有源電流
•3μA（典型值）待機電流
•低電壓操作：VDD=2.7V至3.65V
•工業(yè)溫度：–40℃至+85℃
◆封裝
•8引腳小外形集成電路(SOIC)封裝
•8引腳薄型雙扁平無引腳(TDFN)封裝
•符合有害物質(zhì)限制(RoHS)

關(guān)鍵詞：串行FRAM  FM25V02A-DG

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