關(guān)于手機(jī)內(nèi)存標(biāo)稱容量和實(shí)際容量不一致的話題再次引起了廣泛關(guān)注。那么這些數(shù)碼產(chǎn)品的標(biāo)稱存儲容量和實(shí)際存儲容量為何會有差別呢?下面存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子簡單敘述一下關(guān)于存儲芯片壞塊的存在。
 
存儲芯片壞塊的存在
存儲芯片的種類五花八門，存儲芯片分為易失性存儲芯片（RAM）和非易失性存儲芯片（NVM）。
 
其中，易失性存儲芯片又稱隨機(jī)存取記憶體，即它在任何時候都可以讀寫。不過，當(dāng)電源關(guān)閉后，易失性存儲芯片不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入到一個長期的存儲器中，如硬盤。
 
目前，易失性存儲芯片分為動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）。他們之間的不同在于生產(chǎn)工藝的不同。SRAM保存數(shù)據(jù)是靠晶體管鎖存的，而DRAM保存數(shù)據(jù)靠電容充電來維持。SRAM讀寫速度快，生產(chǎn)成本高，多用于容量較小的高速緩沖存儲器，而DRAM讀寫速度較慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，多用于容量較大的主存儲器。
 
與易失性存儲芯片相對應(yīng)的是非易失性存儲芯片。這類儲存芯片當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的存儲器，我們口中常稱的內(nèi)存就是這類芯片。
 
Nor Flash和Nand Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存芯片，Nand flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，Nand結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價格。同時由于Nand Flash 擦除速度遠(yuǎn)高于Nor Flash，因此Nand Flash在大容量存儲領(lǐng)域應(yīng)用更加廣泛，比如U盤、SSD固態(tài)硬盤和eMMC存儲器里面的主要存儲單元等都是應(yīng)用的Nand Flash。
 
由于生產(chǎn)工藝及結(jié)構(gòu)的原因，NAND Flash不能保證每個存儲單元是好的，無法避免的會產(chǎn)生壞塊，這些無效塊無法確定編程時的狀態(tài)，就是大家常說的“壞塊”。
 
之前某些廠家也有做過消除壞塊的努力，但是效果都不理想，壞塊是隨機(jī)產(chǎn)生的，因此廠家并不能完全控制可用存儲塊的容量。
 
“壞塊”會占據(jù)一部分NAND Flash的存儲空間，這樣就會出現(xiàn)128GB的標(biāo)稱存儲容量，實(shí)際可使用的空間就只有112G的容量可以做文件存儲使用。


關(guān)鍵詞： DRAM SRAM