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幾種非易失性存儲器的比較

來源:宇芯有限公司 日期:2020-10-21 10:31:05

SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時,他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點。
 
 
表1非易失性存儲器比較
 
NVSRAM中的電池對于數(shù)據(jù)保存來說至關(guān)重要。電池的不良接觸會極大地影響電池壽命。其他因素,如震動、濕度以及內(nèi)置的電池切換電路都會縮短電池的使用壽命,同時也會影響系統(tǒng)的整體可靠性。這些問題帶來的最直接的后果是∶終端客戶更換電池的時間間隔更短了,例如每年就需要更換一次,而不是5~10年一次。
 
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù),而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護(hù)的場合。
 
 
關(guān)鍵詞:NV-SRAM 
 
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