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當(dāng)前MRAM市場(chǎng)以及專用MRAM設(shè)備測(cè)試的重要性
來源：宇芯有限公司 日期：2020-07-10 10:35:02
Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。為云存儲(chǔ)，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)提供了上億只MRAM和STT-MRAM存儲(chǔ)器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。
MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)，在許多應(yīng)用中獲得了市場(chǎng)份額。下一代MRAM技術(shù)（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替換最快的SRAM應(yīng)用。
由于器件架構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，因此Everspin MRAM的生產(chǎn)過程分為多個(gè)階段，在CMOS背板的頂部制作了一個(gè)磁性單元（前板）。器件的測(cè)量和表征非常重要，依賴于測(cè)量工具的MRAM存儲(chǔ)器的生產(chǎn)專門用于MRAM和STT-MRAM測(cè)量。
Integral Solutions Inc（ISI）生產(chǎn)用于MRAM開發(fā)和生產(chǎn)的準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試儀。ISI是第一家為MRAM行業(yè)制造晶圓級(jí)測(cè)試儀的公司，并且可能擁有最大的STT-MRAM晶圓級(jí)測(cè)試儀安裝基礎(chǔ)。該公司在HDD磁頭行業(yè)的長期經(jīng)驗(yàn)為他們帶來了MTJ測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，這些經(jīng)驗(yàn)帶給了新興的MRAM測(cè)試行業(yè)。
Everspin串口MRAM
關(guān)鍵詞：MRAM Everspin MRAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)，在許多應(yīng)用中獲得了市場(chǎng)份額。下一代MRAM技術(shù)（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替換最快的SRAM應(yīng)用。
圖1 內(nèi)存制造過程
由于器件架構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，因此Everspin MRAM的生產(chǎn)過程分為多個(gè)階段，在CMOS背板的頂部制作了一個(gè)磁性單元（前板）。器件的測(cè)量和表征非常重要，依賴于測(cè)量工具的MRAM存儲(chǔ)器的生產(chǎn)專門用于MRAM和STT-MRAM測(cè)量。
Integral Solutions Inc（ISI）生產(chǎn)用于MRAM開發(fā)和生產(chǎn)的準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試儀。ISI是第一家為MRAM行業(yè)制造晶圓級(jí)測(cè)試儀的公司，并且可能擁有最大的STT-MRAM晶圓級(jí)測(cè)試儀安裝基礎(chǔ)。該公司在HDD磁頭行業(yè)的長期經(jīng)驗(yàn)為他們帶來了MTJ測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，這些經(jīng)驗(yàn)帶給了新興的MRAM測(cè)試行業(yè)。
Everspin串口MRAM
| 型號(hào) | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 溫度 | 封裝 | MOQ /托盤 | MOQ /卷帶 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
關(guān)鍵詞：MRAM Everspin MRAM
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