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靜態(tài)SDRAM和動(dòng)態(tài)SDRAM的區(qū)別

來(lái)源:宇芯有限公司 日期:2020-06-23 10:20:17

SDRAM有一個(gè)同步接口,在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào),這樣就能和計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)總線同步。時(shí)鐘被用來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)有限狀態(tài)機(jī),對(duì)進(jìn)入的指令進(jìn)行管線(Pipeline)操作。這使得SDRAM與沒有同步接口的異步DRAM相比,可以有一個(gè)更復(fù)雜的操作模式。下面宇芯電子介紹關(guān)于靜態(tài)SDRAM和動(dòng)態(tài)SDRAM的區(qū)別。

靜態(tài)記憶
假設(shè)我們要將16Mb存儲(chǔ)器連接到FPGA。
16Mb表示內(nèi)存可容納1600萬(wàn)位(準(zhǔn)確地說(shuō)是16777216位)?,F(xiàn)在,很少對(duì)比特進(jìn)行單獨(dú)尋址,而是通常以8或16的數(shù)據(jù)包(我們稱其為字)進(jìn)行尋址。因此,如果我們的16Mb存儲(chǔ)器被組織為16位的1M字,則需要20位地址總線和16位數(shù)據(jù)總線,以及一些可寫和可讀信號(hào)。
 

 
實(shí)際的存儲(chǔ)器也將具有CS(片選),如果存儲(chǔ)器是同步的,則為時(shí)鐘(為清晰起見,在圖片中將其省略)。
現(xiàn)在,如果該內(nèi)存是一個(gè)Blockram(在FPGA內(nèi)部),它將看起來(lái)有所不同(假設(shè)存在如此大的16Mb Blockram ...典型的Blockram要小得多)。
 

 
如您所見,它仍然是一塊內(nèi)存,但是有兩條地址總線。那是因?yàn)楝F(xiàn)代FPGA中的Blockram是雙端口的……這意味著兩個(gè)代理可以同時(shí)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。通常,一個(gè)代理寫入內(nèi)存,而另一個(gè)則讀取。因此,每個(gè)代理的內(nèi)存都有獨(dú)立的地址和數(shù)據(jù)總線。上面的圖片在頂部顯示了第一個(gè)(寫)代理,在底部顯示了第二個(gè)(讀)代理。更高級(jí)的Blockram允許每個(gè)代理讀取和寫入,但是上面顯示的體系結(jié)構(gòu)是最常用的。同樣,blockram通常也被同步使用,因此每個(gè)代理都必須提供一個(gè)時(shí)鐘(未在圖片中顯示)。
 
到目前為止,所顯示的內(nèi)存是靜態(tài)的,這意味著僅通過(guò)對(duì)其施加電源即可保存其內(nèi)容。另外,靜態(tài)存儲(chǔ)器可以看作是一個(gè)長(zhǎng)字形的線性數(shù)組(您只需提供一個(gè)地址即可訪問(wèn)匹配的數(shù)據(jù)...無(wú)需復(fù)雜)。需要權(quán)衡的是每比特成本要比...高得多。

動(dòng)態(tài)記憶
我們將使用SDRAM,它是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(SDRAM中的“ D”)。在動(dòng)態(tài)內(nèi)存中,內(nèi)存不被視為單詞的長(zhǎng)線性數(shù)組,而是被組織為單詞的矩陣(行/列)。
 

 
上圖顯示行的12位和列的8位,如前所述總共有20個(gè)地址位...很容易。

有一種復(fù)雜性:為了提高性能,將內(nèi)存分成相等的塊(稱為“存儲(chǔ)體”)。那是因?yàn)槟承﹦?dòng)態(tài)內(nèi)存操作速度很慢,因此擁有存儲(chǔ)體可以在等待另一個(gè)存儲(chǔ)體的同時(shí)使用它。
 
因此,如果我們的16Mb SDRAM有2個(gè)存儲(chǔ)區(qū),則每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)擁有8Mb。
 

 
訪問(wèn)SDRAM時(shí),F(xiàn)PGA必須選擇存儲(chǔ)體(1位),行(現(xiàn)在只有11位)和列(8位),總共需要20位。但這是一個(gè)兩步過(guò)程:首先是行+庫(kù),然后是列:

•FPGA選擇一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)并激活其行之一。然后它等待幾個(gè)時(shí)鐘(等待行準(zhǔn)備就緒)。

•現(xiàn)在,該行處于活動(dòng)狀態(tài),F(xiàn)PGA只需提供列地址即可訪問(wèn)(讀取和/或?qū)懭耄┰撔兄兴璧娜魏螖?shù)據(jù)。

•FPGA處理完該行后,必須先關(guān)閉該行,然后再打開新行。

為了獲得最佳性能,用戶(= FPGA)希望避免過(guò)多地打開和關(guān)閉行,而是在關(guān)閉行之前盡可能多地完成工作,并在不同存儲(chǔ)體中進(jìn)行交錯(cuò)操作,以免浪費(fèi)時(shí)鐘周期。大多數(shù)SDRAM實(shí)際上有4或8個(gè)存儲(chǔ)體,每個(gè)存儲(chǔ)體都是獨(dú)立的,因此可以激活自己的行。


關(guān)鍵詞:SDRAM 
 

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