近年來(lái)，片上存儲(chǔ)器發(fā)展迅速，根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖（ITRS），隨著超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發(fā)展，晶體管特征尺寸進(jìn)一步縮小，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在片上存儲(chǔ)器上所占的面積比例也越來(lái)越高。接下來(lái)宇芯電子介紹SRAM的工作原理以及工作過(guò)程。
 
SRAM 寫(xiě)操作。
寫(xiě)操作就是把數(shù)據(jù)寫(xiě)入指定的SRAM 存儲(chǔ)單元中。首先片選信號(hào)CEBB 置為低電平，讀控制電路開(kāi)始運(yùn)作。10 位寫(xiě)地址線AB0-AB9、16位數(shù)據(jù)輸入DI0-DI15 準(zhǔn)備就緒，地址信號(hào)有效，系統(tǒng)開(kāi)始譯碼、選擇要寫(xiě)入的存儲(chǔ)單元以及需要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CKB 高電平到來(lái)時(shí)，CKB 信號(hào)控制譯碼電路完成最后的譯碼，行譯碼電路選中的那一行存儲(chǔ)單元寫(xiě)字線WWL 將會(huì)打開(kāi)；16 位數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)輸入輸出電路中的寫(xiě)電路傳遞到寫(xiě)字線BL 上，從而把數(shù)據(jù)寫(xiě)入選中的存儲(chǔ)單元。
 
SRAM 讀操作。
讀操作即是把SRAM 陣列中指定單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)讀取出來(lái)。片選信號(hào)CEBA 置為低電平，讀控制電路運(yùn)作。與寫(xiě)操作相同，10 位讀地址線AA0-AA9 提前準(zhǔn)備就緒，經(jīng)過(guò)譯碼器選擇指定的存儲(chǔ)單元；同時(shí)讀位線RBL 被預(yù)充電到高電平。預(yù)充電一段時(shí)間后時(shí)鐘信號(hào)CKA 到來(lái)，譯碼完成，打開(kāi)指定存儲(chǔ)單元的讀字線RWL，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作。此時(shí)靈敏放大器被激活，讀位線RBL 上的電壓變化會(huì)傳遞到靈敏放大器中，靈敏放大器可以根據(jù)RBL的電壓變化情況把結(jié)果送到輸出電路，輸出的二進(jìn)制序列從端口DO0-DO15 讀出，從而讀出特定存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。




關(guān)鍵詞：SRAM