公司介紹

美國ISSI公司近年來，對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計(jì)算機(jī)市場擴(kuò)展到了汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。該公司還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。下面介紹該品牌旗下的低功耗SRAM芯片IS62C10248AL
 
IS62C10248AL描述

ISSI  IS62C10248AL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為1M字乘8位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS1為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）時，器件將進(jìn)入待機(jī)模式，在該模式下，可以通過CMOS輸入電平降低功耗。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。
 
IS62C10248AL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳微型BGA（9mm x 11mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。
 
IS62C10248AL引腳配置（1M x 8低功耗）
   
 
IS62C10248AL特征
•高速訪問時間：45ns，55ns
•CMOS低功耗運(yùn)行
– 36 mW（典型值）運(yùn)行
– 12 µW（典型值）CMOS待機(jī)
•TTL兼容接口級別
•單電源
– 4.5V--5.5V Vdd
•三態(tài)輸出
•汽車溫度（-40oC至+ 125oC）
•無鉛


美國ISSI SRAM部分型號

型號	容量	位寬	電壓	速度（ns）	封裝
IS62C5128BL	4Mb	512Kx8	5V	45	SOP(32),TSOP1(32),sTSOP1(32)
IS62C1024AL	1Mb	128Kx8	5V	35	SOP(32),TSOP1(32)
IS62C256AL	256Kb	32Kx8	5V	25,45	SOP(28),TSOP1(28)
IS62C10248AL	8Mb	1Mx8	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
IS62C51216AL	8Mb	512Kx16	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
IS62C25616BL	4Mb	256Kx16	5V	45	TSOP2(44)