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STT-MRAM突破到10nm以下

來源: 日期:2024-01-15 14:53:13

    MRAM是一種非易失性存儲技術,可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。 MRAM具有近乎無限的耐久性及高可靠性,是能夠滿足電子應用程序中這種市場需求的非易失性存儲器,

    非易失性存儲器即使在電源關閉時也能保留信息,有望顯著降低汽車、人工智能和物聯網等應用中半導體集成電路的功耗。目前,自旋電子學被用作非易失性存儲器。基于該技術的自旋轉移矩磁阻存儲器(STT-MRAM)的商業(yè)化正在取得進展。
 
    該存儲器采用鈷鐵硼(CoFeB)層夾在氧化鎂(MgO)層之間的結構,作為存儲數據的磁隧道結(MTJ)元件的存儲層。該器件的數據保留特性取決于垂直磁各向異性和元件尺寸,這種結構滿足1Xnm一代汽車半導體集成電路所需的數據保留特性。


本文關鍵詞:STT-MRAM


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