航天器系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員非常需要縮短系統(tǒng)開(kāi)發(fā)時(shí)間，并降低系統(tǒng)開(kāi)發(fā)成本和風(fēng)險(xiǎn)。Microchip 提出從商用現(xiàn)貨（COTS）器件開(kāi)始，然后用宇航級(jí)等效耐輻射（RT）元件進(jìn)行替換的理念。Microchip宣布擴(kuò)展其基于商用現(xiàn)貨技術(shù)的耐輻射SuperFlash®產(chǎn)品系列，將Microchip存儲(chǔ)器技術(shù)無(wú)與倫比的50千拉德（krad）總電離劑量（TID）耐受引入64兆位串行四通道I/O NOR閃存器件，用于惡劣的航天和國(guó)防系統(tǒng)環(huán)境。
 
SST26LF064RT Super Flash器件為64兆位串行四通道I/O存儲(chǔ)器解決方案帶來(lái)市場(chǎng)上最佳的TID性能，可與各種空間應(yīng)用中的任何基于SRAM的FPGA一起工作。這款器件適合近地軌道（LEO）空間衛(wèi)星和其他惡劣輻射環(huán)境中所用的系統(tǒng)，在這些環(huán)境中存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)完整系統(tǒng)的關(guān)鍵軟件代碼或比特流需要配套閃存。
 
與常規(guī)堆疊式柵極閃存相比，Microchip Super Flash NOR閃存產(chǎn)品提供專(zhuān)有分離式柵極單元架構(gòu)以改善性能、提高數(shù)據(jù)保留和可靠性。這些產(chǎn)品消除了電源管理切換的復(fù)雜性，即使在閃存仍處于供電和系統(tǒng)運(yùn)行狀態(tài)時(shí)（比如衛(wèi)星機(jī)載計(jì)算機(jī)和面向電機(jī)、傳感器、太陽(yáng)能電池板與配電的不同類(lèi)型控制器），也能實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)高TID。
 
Microchip RT SuperFlash技術(shù)已在工業(yè)應(yīng)用中得到驗(yàn)證，現(xiàn)已作為并行接口解決方案與64兆位SST38LF6401RT器件配合使用，該器件現(xiàn)已通過(guò)宇航級(jí)認(rèn)證，可用于航天器搭載模型。借助SST26LF064RT產(chǎn)品，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在還可以選擇串行四通道I/O 64兆位存儲(chǔ)器。
 
應(yīng)用筆記說(shuō)明如何將64兆位串行SuperFlash器件與Microchip的SST26LF064RT RT閃存參考評(píng)估板和宇航級(jí)基于SRAM 的FPGA配合使用。與Microchip的并行SuperFlash存儲(chǔ)器一樣，串行SuperFlash產(chǎn)品也可用作FPGA和其他Microchip解決方案的配置存儲(chǔ)器，比如基于arm® Cortex®-M7的SAMRH707抗輻射單片機(jī)（MCU）。該產(chǎn)品也可與RT PolarFire® FPGA配合使用，以支持航天器搭載系統(tǒng)的重新配置。

本文關(guān)鍵詞：Flash,SRAM,Microchip

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