鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結合了ROM和RAM的優(yōu)點，具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性。也稱為FRAM。
 
富士通自2018年6月開始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推廣該產(chǎn)品的同時，公司聽到了客戶的聲音，例如保證寫入壽命超過10萬億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。富士通現(xiàn)在很高興推出滿足這些要求的新8Mbit FRAM產(chǎn)品，保持FRAM的低功耗的獨特特性。
 
MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運行。它是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬億讀/寫循環(huán)時間的產(chǎn)品。
 
能夠在快速頁面模式下運行高達25ns，新的FRAM在連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時的訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統(tǒng)FRAM產(chǎn)品相比，它不僅實現(xiàn)了更高的運行速度，而且實現(xiàn)了更低的功耗。該FRAM最大寫入電流18mA，比目前產(chǎn)品小10%，最大待機電流150µA，小50%。采用44引腳TSOP封裝，同封裝作為富士通FRAM的4Mbit以及48引腳FBGA封裝。
 

型號	MB85R8M2TA
密度（配置）	8Mbit(512Kx16bit)
界面	并行接口（低功耗SRAM兼容）
工作電壓	1.8V至3.6V
工作溫度范圍	-40°C至+85°C
讀/寫耐久性	100萬億(1014)次
封裝	48-pinFBGA,44-pinTSOP
低功耗	工作電流：18mA（最大值）
	待機電流：150μA（最大值）
	睡眠電流：10μA（最大值）

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