NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND內(nèi)存被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
 
大家都知道決定內(nèi)存Flash器件的性能是內(nèi)部控制器和存儲(chǔ)芯片共同決定的，雖然NAND閃存已經(jīng)發(fā)展到120+層的地步，但是其Controller也是受到摩爾定律的支配。目前市面上存儲(chǔ)器件因?yàn)樾碌募軜?gòu)迭代而有各種不同的表現(xiàn)，但是普遍來(lái)說(shuō)，市場(chǎng)上主控芯片還是受到NAND發(fā)展進(jìn)程所支配的。
 
每個(gè)從業(yè)者都知道閃存密每24個(gè)月左右就會(huì)翻一倍，但是他們很少注意到，其主控制器也變得越來(lái)越復(fù)雜，從SLC到MLC、TLS再到QLC之間，一步一步的演變使得用戶(hù)的體驗(yàn)變得更快更好，并且主控的進(jìn)步尤為突出，甚至可以把一個(gè)功能齊備的主控直接連接到完全沒(méi)有功能的NAND內(nèi)存上，而這在以前是難以想象的。
 
但是不是說(shuō)主控芯片已經(jīng)發(fā)展到領(lǐng)先NAND閃存數(shù)代的地步，主控的發(fā)展還是高度依賴(lài)于NAND閃存的。目前整個(gè)市場(chǎng)上，單個(gè)芯片控制最大容量的器件還是Micro-SD卡。


關(guān)鍵詞：NAND內(nèi)存

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