存儲芯片又稱半導(dǎo)體存儲器，作為電子數(shù)字設(shè)備的主要存儲部件，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最廣的核心零部件。存儲器一方面可存儲程序代碼以處理各類數(shù)據(jù)，另一方面可存儲數(shù)據(jù)處理過程中產(chǎn)生的中間數(shù)據(jù)及最終結(jié)果，被廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域，是應(yīng)用面最廣的基礎(chǔ)性通用集成電路產(chǎn)品。

當(dāng)前全球存儲器技術(shù)正處于多種技術(shù)路線并行、多層迭代過渡的關(guān)鍵時期，呈現(xiàn)出兩大特點：
 
（1）新型存儲器尚未規(guī)模化或者標(biāo)準(zhǔn)化，尚難撼動當(dāng)前存儲器市場格局，全球各大存儲器廠商均投入人力和資源持續(xù)開展前沿技術(shù)如3D XPoint、MRAM（磁阻存儲器）、RRAM（阻變存儲器）、PRAM（相變存儲器）、FRAM（鐵電存儲器）等新一代存儲技術(shù)開發(fā)，但是目前新型存儲器過高的成本或較大的工藝難度，目前都未實現(xiàn)規(guī)?；蜆?biāo)準(zhǔn)化。
 
（2）DRAM和Nand Flash仍為市場主流，NOR Flash市場逐步恢復(fù)。
 
DRAM和Nand Flash應(yīng)用極其廣泛，是當(dāng)前存儲市場的主流，市場規(guī)模占比超過95%。但也同時面臨制程持續(xù)微縮的挑戰(zhàn)，未來持續(xù)提升性能和降低成本變得更加困難。NOR Flash是除DRAM和Nand Flash以外最大規(guī)模的存儲芯片，憑借著“芯片內(nèi)執(zhí)行”的特點在物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊設(shè)備、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，市場規(guī)模逐步恢復(fù)。
 
主要存儲芯片的未來發(fā)展趨勢

（1）DRAM
 
DRAM按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR等，被廣泛的應(yīng)用于移動設(shè)備、服務(wù)器、個人計算機、消費電子等領(lǐng)域。DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑主要以提升制程來提高存儲密度，同時不斷優(yōu)化設(shè)計，提升帶寬、提升速率、降低功耗。
 
（2）Nand Flash
 
高可靠性的中小容量產(chǎn)品需求持續(xù)增加中小容量的Nand Flash的高可靠性在工業(yè)級、車規(guī)級產(chǎn)品領(lǐng)域，具備大容量產(chǎn)品無可比擬的可靠性優(yōu)勢，隨著5G通訊設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子的發(fā)展，中小容量產(chǎn)品需求持續(xù)增加。5G通訊設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)都需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲芯片作為各類數(shù)據(jù)站點。以5G基站為例，其部署環(huán)境復(fù)雜惡劣，且需要全天候工作，中小容量SLC Nand在性能穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢。
 
高集成度的3D Nand在大容量存儲器領(lǐng)域成為主流存儲芯片的集成度主要體現(xiàn)在單位面積所容納晶體管的個數(shù)，因此存儲芯片的集成度越高，其單位面積的存儲容量越大。相對于中小容量的2D NAND，3D NAND通過在二維平面基礎(chǔ)上，在垂直方向也進行存儲單元的堆疊，從而極大地提升了閃存的存儲容量。目前國際大廠均已成功研發(fā)100+層的3D NAND。隨著大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能的發(fā)展，數(shù)據(jù)量呈爆發(fā)式增長，持續(xù)帶動大容量存儲產(chǎn)品需求。
 
（3）NOR Flash
 
NOR Flash進入50nm制程后，主要存儲大廠均通過優(yōu)化接口技術(shù)等方式增加數(shù)據(jù)吞吐量提升產(chǎn)品性能；同時不斷拓展應(yīng)用場景，憑借擦寫次數(shù)多、讀取速度快、芯片內(nèi)可執(zhí)行等特點，在以TWS耳機為代表的可穿戴設(shè)備、車載電子、AMOLED、TDDI及屏下指紋技術(shù)等領(lǐng)域大放異彩。
 

關(guān)鍵詞：存儲芯片  Nand Flash  FRAM