從1990年代開始流行的智能卡和移動(dòng)設(shè)備就需要很長(zhǎng)時(shí)間來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即使關(guān)閉電源（非易失性），也可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，在低功率下高速運(yùn)行，并具有較高的寫擦除周期耐力。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）滿足了這些要求，但是在日本和美國(guó)嘗試使用常規(guī)半導(dǎo)體工藝制造該存儲(chǔ)器的嘗試直到2000年代初都未必成功。
 
在常規(guī)半導(dǎo)體工藝期間產(chǎn)生的氫氣，該反應(yīng)導(dǎo)致鐵電性能下降。富士通團(tuán)隊(duì)開發(fā)了H2阻擋膜來防止氧化鐵電材料的還原。這有助于在1999年成功地開始FRAM的批量生產(chǎn)。為了實(shí)現(xiàn)高密度和低壓可操作FRAM，他們改進(jìn)了鐵電電容器，實(shí)現(xiàn)了1.8V工作電壓和4 Mb FRAM。與傳統(tǒng)的FLASH存儲(chǔ)器相比，他們開發(fā)的FRAM具有出色的電子性能。它的寫入/擦除速度提高了1000萬倍，耐用性提高了1億倍，功耗降低了400倍。
 
因此FRAM不僅用于智能卡和移動(dòng)設(shè)備中，而且還用于配備有大容量?jī)?nèi)存，身份驗(yàn)證設(shè)備和備用電池的射頻識(shí)別（RFID）標(biāo)簽中，以用于備用電池的靜態(tài)RAM（SRAM）。由于已證明FRAM被證明比FLASH存儲(chǔ)器具有更高的抗輻射能力，因此FRAM有望應(yīng)用于附著在需要通過放射線滅菌的醫(yī)療設(shè)備上的RFID標(biāo)簽。
 
盡管FRAM已經(jīng)成為用于安全社交網(wǎng)絡(luò)的基本內(nèi)存支持信息技術(shù)（IT），但FRAM的最重要挑戰(zhàn)之一是“擴(kuò)展”或減小單元區(qū)域。該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出了下一代FRAM，其單元面積比當(dāng)前商業(yè)化的FRAM小得多。這項(xiàng)技術(shù)將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
 
盡管FRAM已經(jīng)成為用于安全社交網(wǎng)絡(luò)的基本內(nèi)存支持信息技術(shù)（IT），但FRAM的最重要挑戰(zhàn)之一是“擴(kuò)展”或減小單元區(qū)域。該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出了下一代FRAM，其單元面積比當(dāng)前商業(yè)化的FRAM小得多。這項(xiàng)技術(shù)將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
 
盡管FRAM已經(jīng)成為用于安全社交網(wǎng)絡(luò)的基本內(nèi)存支持信息技術(shù)（IT），但FRAM的最重要挑戰(zhàn)之一是“擴(kuò)展”或減小單元區(qū)域。該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出了下一代FRAM，其單元面積比當(dāng)前商業(yè)化的FRAM小得多。這項(xiàng)技術(shù)將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

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