DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單,每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。存儲芯片供應商宇芯電子本篇文章主要介紹關于DRAM的基本知識。
 
DRAM存儲原理
DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現(xiàn)。若寫入位為“1”，則電容被充電:若寫入位為“0”，則電容不被充電。讀出時用晶體管來讀與之相連的電容的電荷狀態(tài)。若電容被充電，則該位為“1”;若電容沒有被充電，則該位為“O”。

 
由于電容存在漏電阻，因此每個位單元都必須不斷地、周期性地對進行充電，以維持原來的數(shù)據(jù)不丟失，此行為稱之為刷新。
 
DRAM特點
由于每個存儲位僅用一個晶體管和小電容，因此集成度比較高。就單個芯片的存儲容量而言，DRAM可以遠遠超過SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的價格也大大低于SRAM。這兩個優(yōu)點使DRAM成為計算機內存的主要角色。DRAM的行列地址分時復用控制和需要刷新控制，使得它比SRAM的接口要復雜一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。
 
DRAM推薦型號

 
SRAM與DRAM的區(qū)別
SRAM
1.速度快
2.不需要刷新可保持數(shù)據(jù)
3.無需MCU帶特殊接口
4.容量小，256Kb-16Mb
5.集成度低，單位容量價格高
6.靜態(tài)功耗低，運行功耗大
 
DRAM
1.速度較慢
2.需要刷新來保持數(shù)據(jù)
3.需要MCU帶外部存儲控制器
4.容量大，16Mb-4Gb
5.集成度高，單位容量價格低
6.運行功耗低
 
 
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