隨著諸如醫(yī)療電子和無(wú)線(xiàn)傳感節(jié)點(diǎn)等應(yīng)用的興起,低功耗芯片受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注.這類(lèi)芯片對(duì)性能和功耗要求苛刻.靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)作為芯片的重要組成部分,大程度上影響著芯片的面積和功耗,因此其功耗的優(yōu)化成了芯片功耗優(yōu)化的關(guān)鍵所在.
 
SRAM單元的數(shù)據(jù)保持功能是通過(guò)背靠背的反相器實(shí)現(xiàn)的,因此為了使單元能最穩(wěn)定地保持?jǐn)?shù)據(jù),每個(gè)反相器都要工作在最優(yōu)的噪聲容限下.使單個(gè)反相器獲得最優(yōu)噪聲容限的傳統(tǒng)做法是,先把NMOS和PMOS的溝道長(zhǎng)度固定為最小溝道長(zhǎng)度，再調(diào)整NMOS和PMOS的寬度比(W,WR),從而匹配兩者的驅(qū)動(dòng)能力.
 
圖1顯示了室溫下(25℃),傳統(tǒng)尺寸調(diào)整方法在不同電壓下寬度比的變化趨勢(shì).從全局觀(guān)察,寬度比隨電壓降低呈增長(zhǎng)趨勢(shì).同時(shí)其增長(zhǎng)率在不同工藝角下有明顯差別.產(chǎn)生這個(gè)趨勢(shì)的原因在于:PMOS與NMOS驅(qū)動(dòng)能力的差距隨電壓降低而加大,不同的工藝角又會(huì)影響這個(gè)差距的數(shù)值.最終低電壓下PMOS需要付出不同的面積代價(jià)去匹配N(xiāo)MOS的驅(qū)動(dòng)能力.室溫下最?lèi)毫拥膶挾缺瘸霈F(xiàn)在電壓為0.2V,工藝角為FNSP的條件下.此時(shí)數(shù)值為93左右,消耗了大量面積.此外溫度對(duì)寬度比也有著不可忽略的影響.引入溫度因素后,傳統(tǒng)的尺寸調(diào)整方法會(huì)帶來(lái)如圖2所示的變化.隨著溫度的降低(80℃,25℃,-40℃),尺寸開(kāi)銷(xiāo)加劇.在-40℃和80℃下,最壞情況依舊出現(xiàn)在0.2V電壓,FNSP工藝角下,此時(shí)寬度比分別達(dá)到300和45.
     
巨大的尺寸開(kāi)銷(xiāo)不僅會(huì)導(dǎo)致漏電的增加,也會(huì)影響電路在亞閾值區(qū)的功能.而且,由于亞閾值區(qū)晶體管電流與閾值成指數(shù)關(guān)系,所以微小的闕值變化都能帶來(lái)顯著的電流變化,從而導(dǎo)致寬度比發(fā)生進(jìn)一步偏移[.因此為維持SRAM 單元在亞閾值區(qū)的噪聲容限,采用傳統(tǒng)的尺寸調(diào)整法會(huì)使得單元的反饋環(huán)付出更大的面積代價(jià).
     
與此同時(shí)的單元的寫(xiě)能力受上拉晶體管和存取晶體管的相對(duì)強(qiáng)度影響,當(dāng)使用大尺寸的上拉晶體管( M2,M4)時(shí),存取晶體管(M5,M6)的尺寸會(huì)相應(yīng)增大以保證寫(xiě)能力,從而又增大了單元面積.因此許多學(xué)者提出了各種方案:比如在存取晶體管上加上高電壓的字線(xiàn)電平以增強(qiáng)晶體管的導(dǎo)通能力,或者降低要寫(xiě)入單元的供電電壓,使得上拉晶體管的能力變?nèi)?，從而降低尺寸開(kāi)銷(xiāo).但是這兩種方法都需要額外的布線(xiàn)開(kāi)銷(xiāo)和供電電路,會(huì)產(chǎn)生多余的功耗],同時(shí)也會(huì)影響SRAM 陣列中半選單元的穩(wěn)定性,導(dǎo)致SRAM不能穩(wěn)定工作.所以外圍輔助電路雖然一定程度上能改善傳統(tǒng)尺寸調(diào)整方法的劣勢(shì),但也會(huì)帶來(lái)電路和功耗開(kāi)銷(xiāo)并導(dǎo)致其他問(wèn)題的產(chǎn)生.
 
 
關(guān)鍵詞：SRAM