Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快等優(yōu)點適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用。NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。
 
NAND Flash 的存儲結構
 
大多數(shù)的NAND Flash都大同小異,所不同的只是該NAND Flash芯片的容量大小和讀寫速度等基本特性。
 
塊Block 是 NAND Flash 的擦除操作的基本/最小單位。頁是讀寫操作的基本單位。
 
每一個頁,對應還有一塊區(qū)域,叫做空閑區(qū)域/冗余區(qū)域,而在 Linux系統(tǒng)中﹐一般叫做OOB(Out Of Band)[2]。這個區(qū)域最初基于NAND Flash 的硬件特性﹐數(shù)據(jù)在讀寫時候相對容易出錯﹐所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性,必須要有對應的檢測和糾錯機制,此機制被叫做EDC /ECC。所以設計了多余的區(qū)域﹐用于放置數(shù)據(jù)的校驗值。OOB的讀寫操作一般是隨著頁的操作一起完成的,即讀寫頁的時候,對應地就讀寫了OOB。OOB的主要用途:標記是否是壞塊﹐存儲ECC數(shù)據(jù)﹐存儲一些和文件系統(tǒng)相關的數(shù)據(jù)。
 
NAND Flash的接口控制設計
 
由于NAND Flash只有8個I/O引腳,而且是復用的,既可以傳數(shù)據(jù)﹐也可以傳地址、命令。設計命令鎖存使能(Command Latch Enable，CLE)和地址鎖存使能( Ad-dress Latch Enable，ALE)，就是先要發(fā)一個CLE(或ALE)命令,告訴NAND Flash 的控制器一聲,下面要傳的圖1NAND Flash控制電路是命令(或地址)。這樣NAND Flash內部才能根據(jù)傳入的內容﹐進行對應的動作。相對于并口的NOR Flash 的48或52個引腳來說,大大減小了引腳數(shù)目,這樣封裝后的芯片體積小。同時減少了芯片接口﹐使用此芯片的相關的外圍電路會更簡化,避免了繁瑣的硬件連線。
   
 
 
關鍵詞： NAND FLASH