PSRAM是一種存儲技術，它通過DRAM單元來實現(xiàn)高密度存儲并降低每存儲位成本。PSRAM帶有異步SRAM外部接口，可實現(xiàn)高效的系統(tǒng)設計。COSMORAM協(xié)議包括關于猝發(fā)模式PSRAM用戶接口的通用規(guī)范以及封裝PSRAM的堆迭式多芯片封裝(MCP)。猝發(fā)模式功能增強了PSRAM操作性能,使其成為昂貴的異步低功耗﹑低電壓SRAM的理想替代品。目前SRAM在手機及PDA等其它移動設備中應用廣泛。
 
PSRAM與傳統(tǒng)的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當,但卻有著標準異步SRAM無法比擬的絕對成本優(yōu)勢。此外,PSRAM還可提供極高的存儲密度,如32Mbit和64Mbit，可滿足手機廠商手機擴展功能的需要。
 
由于目睹PSRAM非常適于手機應用，其它公司也聯(lián)合起來共同發(fā)展這-技術、賽普拉斯(Cypress)半導體公司.英飛凌(Infineon)科技公司及美光(Micron)科技公司三家公司簽署合作協(xié)議，共同開發(fā)CellularRAM存儲器規(guī)范.CellularRAM是一種新的多代(multi-generation)低功耗PSRAM技術,專用于無線手機。
 
除了從增長市場獲利外，這些公司積極開發(fā)PSRAM技術的另一原因是為了防止手機廠商采用其它存儲器技術來取代SRAM，如低延時的DRAM和快速循環(huán)隨機存儲器(FCRAM)。
 
 
關鍵詞：SRAM