首先來看一下并口和串口的區(qū)別：

引腳的區(qū)別：

 串口SRAM（或其它存儲(chǔ)器）通常有如下的示意圖：
引腳只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8個(gè)，一般遵循SPI協(xié)議，

并口SRAM引腳很多，串口SRAM引腳很少。
大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是串口協(xié)議的。并口的SRAM通常有如下的示意圖：

引腳密密麻麻接近50個(gè)，包含地址、IO、使能信號(hào)、電源等。
其中地址通常和容量有關(guān)系，這里是1Mb的容量，地址有16個(gè)（A15-A0）;
其中IO通常是8的倍數(shù)，這里是16個(gè)（IO15-IO0）;
使能信號(hào)CE#，WE#，OE#，BHE#，BLE#，請(qǐng)?jiān)徫矣?代替上劃線，上劃線根本無法輸入，MD；
電源信號(hào)：VCC/VSS.

電路分類的區(qū)別
并口SRAM是異步電路，沒有時(shí)鐘信號(hào)；
串口電路是同步電路，有時(shí)鐘信號(hào)。

再來看看并口SRAM的應(yīng)用場(chǎng)合。

并口SRAM通常速度都比較快，應(yīng)用在很多高速場(chǎng)合，比如作為CPU的高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache），如下圖所示：


SRAM處于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器金字塔的最頂端，在速度上，SRAM>DRAM>NAND。因?yàn)镾RAM的操作條件比較簡(jiǎn)單，就是簡(jiǎn)單的MOS管打開，相互fighting或者傳輸值的過程，用core電壓就可以實(shí)現(xiàn)。而DRAM要產(chǎn)生3v左右的高壓，NAND的操作電壓就更高了。

在面積上，SRAM存儲(chǔ)單元6個(gè)管子（6T），相對(duì)于DRAM的1T1C以及NAND的1T而言，又是最大的。所以在價(jià)格上也是SRAM>DRAM>NAND。

有時(shí)候SRAM也會(huì)作為寄存器的替代，因?yàn)镾RAM存儲(chǔ)單元（6個(gè)管子）面積相對(duì)于寄存器（DFF）要小不少，如果在設(shè)計(jì)中需要用到幾百Byte，使用寄存器的面積可能比SRAM大上好幾倍。

關(guān)鍵詞：SRAM   串口SRAM   并口SRAM