武漢新芯50nm高性能SPI Nor Flash

來(lái)源： 日期：2020-06-10 10:43:35

一鍵分享

武漢新芯一家領(lǐng)先的非易失性存儲(chǔ)供應(yīng)商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI Nor Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
 
XM25QWxxC產(chǎn)品系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封裝，在中高容量產(chǎn)品也將針對(duì)可穿戴設(shè)備等尺寸受限的應(yīng)用推出WLCSP封裝，協(xié)助客戶(hù)將空間利用發(fā)揮到極致。全線(xiàn)產(chǎn)品支持KGD解決方案，并為客戶(hù)提供RDL服務(wù)，滿(mǎn)足客戶(hù)定制化的SiP需求。
 

 

XM25QWxxC系列產(chǎn)品在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達(dá)133MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），工作溫度范圍可達(dá)-40℃到105℃。在電源電壓下降后，時(shí)鐘速度沒(méi)有任何減慢，其傳輸速率可以勝過(guò)8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下能實(shí)現(xiàn)高效的存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)，僅需8個(gè)時(shí)鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實(shí)現(xiàn)真正的XIP操作。
 
 
XM25QWxxC系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)的50nm FloaTIng Gate工藝，在性能和成本方面進(jìn)一步提高了競(jìng)爭(zhēng)力。針對(duì)快速發(fā)展的IoT和5G市場(chǎng)，武漢新芯將持續(xù)投入研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品，不斷拓展產(chǎn)品線(xiàn)，為客戶(hù)帶來(lái)更多高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品與解決方案。
 

關(guān)鍵詞：  SPI Nor Flash 武漢新芯

 

上一篇文章：MRAM可以替代NOR或SRAM