ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝再加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，生產(chǎn)出高性能優(yōu)質(zhì)和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）時(shí)，器件將會進(jìn)入待機(jī)模式，在該模式下可以通過CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲器。激活的LOW Write Enable（低寫使能）控制存儲器的寫入和讀取。IS62WV20488EALL均采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳微型BGA（6mm x 8mm）封裝。
 
框圖
   
特征
高速訪問時(shí)間：45ns，55ns
·CMOS低功耗操作
– 30 mW（典型值）運(yùn)行
– 12 µW（典型值）CMOS待機(jī)
·TTL兼容接口級別
·單電源
–1.65V–1.98V Vdd（62 / 65WV20488EALL）
– 2.2V--3.6V Vdd（62 / 65WV20488EBLL）
·完全靜態(tài)操作：無需時(shí)鐘或刷新
·工業(yè)（-40oC至+ 85oC）和汽車（-40oC至+ 125oC）溫度支持
 
 工作溫度范圍