自可穿戴電子產(chǎn)品出世以來，受到市場上的熱烈追捧，當(dāng)今的MCU已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中。我們現(xiàn)今正在經(jīng)歷一個重大電子產(chǎn)品發(fā)展趨勢，便是可穿戴電子產(chǎn)品。對于智能手表,智能手環(huán)和健康腕帶這樣的可穿戴產(chǎn)品來說，尺寸和功耗是關(guān)鍵因素。由于電路板尺寸受限，MCU必須精簡小巧，并且能夠借助便攜式電池提供的微弱電力運(yùn)行。
　　
在上述要求下，片上高速緩存的容量相當(dāng)有限。在將來的幾代產(chǎn)品中，我們預(yù)計會看到可穿戴產(chǎn)品的功能將得到進(jìn)一步豐富。這樣一來片上高速緩存的容量將不敷使用，從而帶來對外部高速緩存的需求。在所有可用的存儲器中，SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因?yàn)樗cDRAM相比待機(jī)電流消耗較低，而且其存取時間也比DRAM和閃存更短。
　　
但是要裝配到微小的可穿戴產(chǎn)品電路板上，SRAM將需要進(jìn)一步發(fā)展。對現(xiàn)有的并行SRAM而言，存在與MCU通信所需的引腳數(shù)過多,尺寸過大，不適合PCB的問題。

 
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 關(guān)鍵詞：SRAM