MRAM 設(shè)備采用磁性隧道結(jié) (MTJ) 作為存儲(chǔ)元件。MTJ 單元由兩種鐵磁材料組成，由用作隧道勢(shì)壘的薄絕緣層隔開。當(dāng)一層的磁矩切換為與另一層對(duì)齊（或與另一層的方向相反）時(shí)，電流流過 MTJ 的有效電阻會(huì)發(fā)生變化?？梢宰x取隧道電流的大小以指示存儲(chǔ)的是“一”還是“零”。場(chǎng)切換 MRAM 可能是最接近理想的“通用存儲(chǔ)器”的，因?yàn)樗欠且资缘摹⒖焖俚牟⑶铱梢詿o限循環(huán)。因此，它可以用作 NVM 以及 SRAM 和 DRAM。
 
  然而，在 IC 電路中產(chǎn)生磁場(chǎng)既困難又低效。盡管如此，F(xiàn)ield Switching MTJ MRAM已經(jīng)成功制成產(chǎn)品。然而，當(dāng)存儲(chǔ)元件縮放時(shí)，切換所需的磁場(chǎng)會(huì)增加，而電遷移會(huì)限制可用于產(chǎn)生更高 H 場(chǎng)的電流密度。因此，預(yù)計(jì)現(xiàn)場(chǎng)開關(guān) MTJ MRAM 不太可能擴(kuò)展到 65nm 節(jié)點(diǎn)以上。
 
  “STT”方法的最新進(jìn)展提供了一種新的潛在解決方案，其中自旋極化電流將其角動(dòng)量轉(zhuǎn)移到自由磁性層，從而在不借助外部磁場(chǎng)的情況下反轉(zhuǎn)其極性。在自旋轉(zhuǎn)移過程中，大量電流通過 MTJ 隧道層，這種應(yīng)力可能會(huì)降低寫入耐久性。在進(jìn)一步縮放時(shí)，存儲(chǔ)元件的穩(wěn)定性會(huì)受到熱噪聲的影響，因此預(yù)計(jì)在 32nm 及以下需要垂直磁化材料。最近已經(jīng)證明了垂直磁化。
 
  隨著NAND Flash的快速發(fā)展，以及最近推出的有望繼續(xù)等效縮放的3D NAND，STT-MRAM取代NAND的希望似乎渺茫。然而，其類似 SRAM 的性能和比傳統(tǒng) 6T-SRAM 小得多的占用空間在該應(yīng)用中引起了極大的興趣，特別是在不需要高循環(huán)耐久性的移動(dòng)設(shè)備中，例如在計(jì)算中。因此，STT-MRAM 現(xiàn)在大多不被視為獨(dú)立內(nèi)存，而是嵌入式內(nèi)存 ，并且不在獨(dú)立 NVM 表中進(jìn)行跟蹤。
 
  STT-MRAM 不僅是嵌入式 SRAM 替代品的潛在解決方案，也是嵌入式閃存 (NOR) 替代品的潛在解決方案。這對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用來說可能特別有趣，因?yàn)榈凸氖亲钪匾?。另一方面，?duì)于使用更高存儲(chǔ)密度的其他嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用，預(yù)計(jì) NOR 閃存將繼續(xù)占據(jù)主導(dǎo)地位，因?yàn)樗匀桓叱杀拘б?。此外，閃存能夠承受 PCB 板焊接過程（約 250°C）而不會(huì)丟失其預(yù)加載代碼，這是眾所周知的，許多新興存儲(chǔ)器尚未能夠證明這一點(diǎn)。

本文關(guān)鍵詞：車用存儲(chǔ),存儲(chǔ)器,DRAM,NAND

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