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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趕超日本韓國(guó)
中國(guó)在大力發(fā)展半導(dǎo)體領(lǐng)域。國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMI)的統(tǒng)計(jì)顯示,在今年到2019年的3年里,中國(guó)計(jì)劃建設(shè)的半導(dǎo)體工廠有15家,比同期韓國(guó)(3家)、日本(4家)加起來還要多。
2017-12-01
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FPGA芯片配置方式
從廣義的上講,F(xiàn)PGA的配置包括直接使用下載電纜對(duì)FPGA器件進(jìn)行編程、對(duì)外部EEPROM和FLASH進(jìn)行編程、使用MPU對(duì)FPGA器件進(jìn)行編程、外部EEPROM和FLASH對(duì)器件進(jìn)行編程等。
2017-11-30
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DDR5介面芯片的存儲(chǔ)器頻寬與密度都比DDR4更高2倍
市場(chǎng)研究公司W(wǎng)ebFeet Research總裁Alan Niebel表示:“市場(chǎng)將會(huì)非常需要DDR5 但它仍然是DRAM,而且也很耗電。它推動(dòng)了傳統(tǒng)的馮?諾伊曼(Von Neuman)系統(tǒng)進(jìn)展,但我們?nèi)匀恍枰掷m(xù)推出持久型存儲(chǔ)器替
2017-11-30
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替代型存儲(chǔ)器崛起
CPU供應(yīng)商預(yù)計(jì)將使其處理器的DDR通道數(shù)從12個(gè)增加到16個(gè)通道,因此可能使主存儲(chǔ)器的容量從現(xiàn)有的64GB提高到128GB。
2017-11-29
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存儲(chǔ)器世代即將來到DDR5 (第五代雙倍數(shù)據(jù)率)的時(shí)代
存儲(chǔ)器頻寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存儲(chǔ)器介面芯片研發(fā)成功,預(yù)計(jì)最快在2019年量產(chǎn),將為服務(wù)器的主存儲(chǔ)器帶來更高效能與功率管理…
2017-11-29
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三星斥巨資 欲抑制中國(guó)存儲(chǔ)器發(fā)展
IC Insights估計(jì),今年三星260億美元的半導(dǎo)體支出將分成幾部分: 3D NAND閃存:140億美元(包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長(zhǎng)) DRAM:70億美元(用于流程遷移和彌補(bǔ)由于遷移造成的容量損失的額外
2017-11-28
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